技术需求：

1.化学气相沉积技术（CVD技术）的低成本化研究。期望研发新型快速增密技术，进一步降低C/C复合材料沉积周期和成本，实现C/C复合材料的低成本化生产，扩大C/C复合材料的应用领域。

2.C/C复合材料抗氧化性能提升。C/C复合材料在硅晶体生长炉中主要由于硅蒸汽的腐蚀而出现开裂、掉渣等破坏形式，严重影响了产品的使用寿命。期望开发一种简单易操作、低成本的抗氧化涂层（SiC涂层为主）来提升C/C复合材料的抗氧化性能，一方面提高材料的使用寿命，一方面扩展C/C复合材料更大的使用温度区间。

预期目标：

1.大尺寸C/C复合材料经过160h的沉积，密度能够达到1.4±0.1g/cm3；