| 单壁碳纳米管批量化制备关键技术攻关 | | 需求类型：新材料 | | 专利号/登记号：单壁碳纳米管批量化制备关键技术攻关 | | 权利人属性：单壁碳纳米管批量化制备关键技术攻关 | | 发布时间：2024-11-4 15:41:48 |
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技术详细介绍技术详细介绍
针对硅基负极材料体积膨胀大、导电率差的问题，通过添加单壁碳纳米管可有效提升导电性和循环稳定性。针对单壁碳管量产仍是碳纳米管领域难以突破的问题。研究单壁碳纳米管的制备技术；研究单壁碳纳米管的产业化技术。
技术指标：1、纯度：30%-40% 2、直径：2-3nm 3、长度：3-5μm 4、比表面积：280-300m2/g 对标：对标俄罗斯OCSiAl公司单壁碳纳米管。 1、纯度：≥80% 2、直径：1.2-2.0nm 3、长度：＞5μm 4、比表面积：≥300 m2/g
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