| 化学气相沉积制备高纯高性能碳化硅涂层技术 | | 成果类型：新材料 | | 专利号/登记号：化学气相沉积制备高纯高性能碳化硅涂层技术 | | 权利人属性：化学气相沉积制备高纯高性能碳化硅涂层技术 | | 发布时间：2022-4-26 15:05:24 |
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技术详细介绍技术详细介绍 高纯高性能碳化硅涂层部件是急需实现国产替代进口的关键半导体设备零部件。围绕碳化硅涂层部件国产化问题，研究化学气相沉积制备高纯高性能碳化硅涂层的技术，研究碳化硅晶体化学气相沉积的形核与生长机制，研究沉积工艺与痕量金属元素、晶粒组织形貌及碳化硅晶体结构调控的关系、研究沉积工艺对涂层耐热性能、抗腐蚀性能的影响，研究基体与涂层界面结合强度的调控机制。实现可应用于半导体设备的碳化硅涂层部件的开发与产业化。 |
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